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2020년 대한전자공학회 하계종합학술대회

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한글제목(Korean Title) 펄스 RF 입력 비율에 따른 SiO2 건식 식각 능력의 변화에 대한 연구
영문제목(English Title) A study on the change of SiO2 dry etching ability according to the pulse RF duty cycle input ratio
저자(Author) 한상범   김소영   Sang-Beom Han   SoYoung Kim  
원문수록처(Citation) VOL 43 NO. 01 PP. 0531 ~ 0533 (2020. 08)
한글내용
(Korean Abstract)
영문내용
(English Abstract)
This study was conducted on the effect of duty cycle of RF pulse voltage to the dry etching process. There has been previous study on effect of RF pulse voltages in various ways, but this study focuses on the impact of high voltage of the band used in the actual high aspect ratio dry etching. The experiment was set up to emulate the environment similar to the dry etching of actual pattern wafers. The important factors are pressure, temperature, and dry etching gas.
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